AVALIAÇÃO DE CÉLULAS SRAM EM TECNOLOGIA CMOS 32nm

Autores

  • Roberto Almeida Universidade Federal do Rio Grande - FURG
  • Paulo F. Butzen Universidade Federal do Rio Grande - FURG
  • Cristina Meinhardt Universidade Federal do Rio Grande - FURG

Resumo

Sistemas computacionais necessitam armazenar dados com um bom desempenho. Para alcançar este objetivo é preciso utilizar uma hierarquia de memória para conseguir-se um sistema rápido a um bom custo e alta capacidade. Memórias cache frequentemente são fabricadas na mesma tecnologia do processador para alcançar um bom desempenho. O objetivo deste trabalho é verificar importantes fatores que caracterizam uma célula SRAM (Memória Estática de Acesso Aleatório) como tempos de escrita e leitura, consumo de energia e robustez. São exploradas diferentes arquiteturas na tecnologia de 32nm de alto desempenho. Os resultados mostram que a escolha da melhor célula depende dos requisitos de cada projeto, ressaltando a importância de uma profunda análise de cada célula quanto as características elétricas.

Biografia do Autor

Roberto Almeida, Universidade Federal do Rio Grande - FURG

ButzenMestrando do Programa de Pós-Graduação em Computação pela FURG

Paulo F. Butzen, Universidade Federal do Rio Grande - FURG

Professor do Programa de Pós-Graduação em Computação pela FURG

Cristina Meinhardt, Universidade Federal do Rio Grande - FURG

Professora do Programa de Pós-Graduação em Computação pela FURG

Referências

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Publicado

2017-07-21